在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造nos晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”
第8节芯片准备(2/2)
出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成晶体管的源、漏区；
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